삼성전자의 전 기술 총괄 황창규 사장이 2002년 2월 미국 샌프란시스코에서 열렸던 '국제반도체회로학술회의'에서 무어의 법칙과 달리 메모리반도체의 집적도가 1년에 두 배씩 늘어난다고 내놓았던 '황의 법칙'이 드디어 종말을 맞았다.

황의 법칙은 반도체 성능은 18개월마다 2배씩 향상된다는 '무어의 법칙'을 대체하는 반도체 성장 이론으로 전 세계적으로 엄청난 반향을 일으킨 바 있다.

하지만 삼성전자는 15일부로 이러한 '황의 법칙'에 더 이상 연연하지 않기로 했다는 발표를 내놓았다. 매년 한 단계씩 나아진 반도체 제품을 내 놓던 것과는 달리, 최종 양산 단계까지 개발이 끝난 제품을 내놓기로 한 것이다.

공교롭게도 이러한 삼성의 '황의 법칙' 포기는 지난 9일, 하이닉스가 삼성보다 앞서 20나노 공정을 이용한 64Gb 낸드 플래시 반도체 개발에 성공한 것과 맞물려 반도체 미세화의 한계를 절감한 것이 아니냐는 예측이 나오고 있는 상황이다.

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▲  삼성전자
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                     ▲ 하이닉스, 20나노급 64기가비트(Gb) 제품 개발 성공

하이닉스의 20나노 낸드플래시 개발 발표는 이달 초 인텔과 마이크론의 합작사인 IM플래시테크놀로지에 이어 세계 두번째다. 30나노급 32Gb 낸드플래시를 개발한 지 꼭 6개월 만이다.

지난 2007년 당시 30나노급에서 삼성전자와의 기술개발 속도가 1년 이상 차이 났던 하이닉스였던 것을 감안하면 꽤나 무서운 반격이다.

반면, 경쟁 업체들의 추격과 '황의 법칙' 포기에도 불구하고 삼성은 느긋한 표정으로 별 문제없다는 입장이다. 삼성전자 관계자에 따르면 "20나노 기술은 2009년 10월에 연구를 끝내고 1월에 양산 기술까지 개발된 상태이다. 단지 발표 시기만 늦췄을 뿐이며, 20나노 낸드 플래시는 상반기 중 양산된다"고 밝혔다. 이를 따르면 여전히 하이닉스에 비해 1분기 이상 앞서는 셈이다.

이제 삼성과 경쟁 업체들의 기술력 차이는 상당히 좁혀졌다. 황 전 사장이 2008년 9월 "반도체 미세화에는 한계가 있고 앞으로 미세화의 속도는 늦어질 것이다"고 밝혔던 것이 실현된 것일까? 아니면 단순한 정책 수정일까? 어찌되었건 세계 정상의 자리는 내 놓지 않기를 바란다.